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歐姆龍光耦繼電器G3VM-21MT特征及應(yīng)用領(lǐng)域

2020-04-15

        隨著歐姆龍光耦繼電器G3VM-21MT的發(fā)布,我們可以了解下它的特征及應(yīng)用領(lǐng)域:

特點(diǎn)


(* 1)MOS FET =金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。

(* 2)根據(jù)我們自己的研究,截止到2019年4月,采用“ T型電路結(jié)構(gòu)”的繼電器模塊將多個(gè)不同的MOS FET繼電器組合在一起。

(* 3)電子設(shè)備中通常使用的電路結(jié)構(gòu),例如衰減器,以更大程度地減小泄漏電流。

(* 4)電路內(nèi)部發(fā)生的一種情況,電流通過絕緣層泄漏,否則會(huì)阻止電流通過。

(* 5)通過纏繞在玻璃管上的線圈的磁通量來切換(斷開和閉合)位于玻璃管中的兩個(gè)帶有觸點(diǎn)的簧片。


特征

1.通過將泄漏電流減小到1pA或更低來提高設(shè)備的可靠性
泄漏電流一直是半導(dǎo)體繼電器的長(zhǎng)期缺點(diǎn),G3VM-21MT通過將泄漏最小化到1pA或更低來解決該問題。
G3VM-21MT成功地實(shí)現(xiàn)了低于或等于0.1pA的實(shí)際性能,同時(shí)將對(duì)應(yīng)用測(cè)量精度的影響降至最低。
2.更長(zhǎng)的生命周期和顯著降低的維護(hù)頻率
G3VM-21MT繼電器模塊的輸出電路由不使用物理觸點(diǎn)的半導(dǎo)體MOS FET繼電器組成,因此無需對(duì)觸點(diǎn)進(jìn)行維護(hù)以防磨損,因?yàn)椴粫?huì)產(chǎn)生電弧放電打開和關(guān)閉電路。

3.縮小的安裝空間-通過節(jié)省空間和節(jié)省
布線的方式實(shí)現(xiàn)高密度安裝 G3VM-21MT通過將輸入和輸出電路的復(fù)雜接線圖納入內(nèi)部模塊,實(shí)現(xiàn)了5mm×3.75mm×2.7mm的緊湊尺寸,從而簡(jiǎn)化了PCB布線的應(yīng)用程序。

應(yīng)用領(lǐng)域

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